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| PD方案-內置MOS | 
 
 
| 輸出功率 | 接口 | 架構 | PWM | SR | 協議 | DEMO板尺寸 | 特點 | 
 
 
| 20W | 單C口 | 反激 | MX6911 | MX5480 | 22mm*27mm*25mm  (小綠點) | MX6911+MX5480 1、內置MOS和協議極簡外圍元件利于小型化設計
 2、80V 的 VDD 耐壓,可以無需穩壓線路做更寬的輸出
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| 20W | 單C口 | 反激 | G1655DF | G3667CF | EV653 | 22mm*27mm*25mm  (小綠點) | G1655DF 1、內置斜坡補償,不需外部補償元件
 2、45KHZ 或 65KHZ 固定頻率控制模式
 3、80V 的 VDD 耐壓,可以無需穩壓線路做更寬的輸出
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| 25W | 單C口 | 反激 | G1655CF | G3667CF | EV653 | / | G1655CF 1、內置斜坡補償,不需外部補償元件
 2、45KHZ 或 65KHZ 固定頻率控制模式
 3、80V 的 VDD 耐壓,可以無需穩壓線路做更寬的輸出。
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| PD方案-GaN | 
 
 
| 輸出功率 | 接口 | 架構 | PWM | SR | 協議 | DEMO板尺寸 | 特點 | 
 
 
| 45W | A+C | Flyback | PF6151 | PF6602G | SC2151A | 34mm*30mm*63mm | PF6151: 1、QR+CCM工作模式,高效率,同時避免同步共通;
 2、K寬電壓VCC供電9-80V,不需要加LDO;
 3、具有精確的BI/BO及OVP OTP功能,滿足手機充電器及LPS要求。
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| 65W | 單C | Flyback | SC3021C | SC3503 | SC2151A | 27mm*25mm*50mm | SC3021: 1、高頻純QR工作模式,高效率,同時避免同步共通;
 2、直驅GaN(6V)提高產品可靠性;
 3、帶X電容放電功能,可替代NCP1342,VCC供電不需要加LDO。
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| 65W | 單C | Flyback | PF6351 | PF6602A | SC2151A | 27mm*25mm*50mm | PF6351: 1、谷底導通+降頻;頻率最高400K;
 2、Vcc耐壓85V,無需增加外部LDO,線路簡單;
 3、具有PSR功能,保證輸出3.3V-20V的OCP類似;
 4、噪音抑制技術,可外調的抖動模式;
 5、具有精確的BI/BO及OVP OTP功能,滿足手機充電器及LPS要求。
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| 65W | 多口 | Flyback | SC3021C | SC3503 | SC9711 | 48mm*48mm*23mm | SC9711: 1、集成BUCK與協議,1個SC9711可實現單口快充,兩口共享5V的A+C輸出;
 2、兩個SC9711之間可直接降功率通訊,不需要另加MCU;
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| 120W | 2C+1A | PFC+LLC | TEA2016T | TEA2095T | SC9711 | 79.3mm*60mm*23mm | SC9711: 1、集成BUCK與協議,1個SC9711可實現單口快充,兩口共享5V的A+C輸出;
 2、兩個SC9711之間可直接降功率通訊,不需要另加MCU;
 TEA2016:
 1、轉換效率高。 2、調式簡單。 3、EMC效果好。
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